特許

J-GLOBAL ID：200903020538335521

半導体装置及びその製造方法

発明者： 田中 秀明 ,  林 哲也 ,  星 正勝 ,  金子 佐一郎
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132710
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335919
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】イオン注入と高温熱処理の組み合わせを用いずに、高耐圧な半導体装置を提供する。【解決手段】第一の半導体材料からなる半導体基体100の第一主面に形成されたトレンチ4A、4Bと、トレンチ4A、4Bの近傍の第一主面に、第一の半導体材料(N-型炭化珪素エピタキシャル層2)と、第一の半導体材料とはバンドギャップが異なる第二の半導体材料(N-型多結晶シリコン層3)とにて形成されるヘテロ接合とからなる電界緩和領域5A、5Bを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第一の半導体材料からなる半導体基体の第一主面に形成された溝部と、前記溝部の近傍の前記第一主面に、前記第一の半導体材料と前記第一の半導体材料とはバンドギャップが異なる第二の半導体材料とにて形成されるヘテロ接合とからなる電界緩和領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/861 ,  H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/91 H ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/91 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-280588   出願人：株式会社東芝
• 電力用半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257993   出願人：株式会社東芝
• 炭化けい素半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-090790   出願人：新電元工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High voltage P+ polysilicon/N- 6H-SiC heterojunction diodes