特許
J-GLOBAL ID:200903072172829550
粒子線照射装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-305010
公開番号(公開出願番号):特開2000-131499
出願日: 1998年10月27日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】小型で、かつ信頼性の高い粒子線照射装置を提供する。【解決手段】発生する磁場の方向が時間変化する複数の第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4を有し、加速器で加速された粒子線を第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4で偏向した後に出力する粒子線照射装置において、第一のワブラー電磁石2および第二のワブラー電磁石4の有効磁場範囲内に存在する機器または機器の支持構造物を、絶縁物質または金属よりも電気抵抗の大きな材料により構成する。
請求項(抜粋):
発生する磁場の方向が時間変化する複数の走査電磁石を有し、加速器で加速された粒子線を前記走査電磁石で偏向した後に出力する粒子線照射装置において、前記走査電磁石の有効磁場範囲内に存在する機器または機器の支持構造物を、絶縁物質または金属よりも電気抵抗の大きな材料により構成することを特徴とする粒子線照射装置。
IPC (3件):
G21K 1/093
, A61N 5/10
, G21K 5/04
FI (3件):
G21K 1/093 S
, A61N 5/10 K
, G21K 5/04 A
Fターム (7件):
4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AE01
, 4C082AE03
, 4C082AG12
, 4C082AG42
, 4C082AG52
引用特許:
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