半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-285697
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252278
出願日： 1999年10月06日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】エレクトロマイグレーション耐性に優れた銅または銅合金配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板10上にシリコン酸化膜13を堆積する工程と、シリコン酸化膜13上にレジストパターン14を形成する工程と、シリコン酸化膜13に対してレジストパターン14をマスクとしてエッチングを行って配線となるべき溝15を形成する工程と、溝15を配線となる銅で埋め込むために銅膜17を堆積する工程と、銅膜17のうち溝15の領域以外の余分な銅を除去しかつ平坦化して銅配線18を形成するCMP工程と、CMP後に露出した銅配線18中にボロンをドーピングする工程とを含むものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された銅または銅合金からなる金属配線とを備え、前記金属配線が表面近傍に不純物としてボロンを含むことを特徴とする半導体装置。

Fターム (30件)：

5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM10 , 5F033MM11 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033QQ03 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ59 , 5F033QQ65 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT02 , 5F033XX05 , 5F033XX20

引用特許：

審査官引用 (9件)

銅表面のカプセル化法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-330557 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
特開平2-132834
特開平3-171733

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