特許
J-GLOBAL ID：200903072194753264

薄膜を層状堆積させるための方法及び装置

発明者：
パラジャペ,アジト

パラジャペ,アジト について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-500954
公開番号（公開出願番号）：特表2006-516304
出願日： 2004年01月13日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：
簡単にはALPを高める方法、本発明の好適実施形態は、ウエハ上で層状成長を達成するためにリアクタ内でガス流を連続してモジュレートすることによりALP処理量を増加させる方法を含んでいる。第一反応種をキャリヤガスの割合と導入する。第一時間間隔後、第一反応種流量を減少させ、ほぼ一定の全ガス流を維持するようにキャリヤガス流を増加させる。第一反応種流量が最少の所定量に達したとき、第二反応種流量を開始し増加させ、キャリヤガス流を一定の全ガス流を続けるように減少させる。本方法は、或いは、表面と反応する第一適用ガスとしてか又は反応種に対する追加リガンドとして、反応種の吸着と化学吸着を高める物質を導入するステップを含んでいる。代替法は、更に、膜特性、対応するウエハ処理、反応種レザバーを改善するために定期的急速加熱アニールを含んでいる。
請求項（抜粋）：
物質の堆積方法であって、 少なくとも1枚の基板上に前記物質を、一連のガスを連続して反応チャンバへ一方のガスをもう一方のガスを注入する前に前記チャンバからパージせずに注入することを含む原子層処理によって堆積させるステップ、 を含む、前記方法。
IPC (4件)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/285
FI (4件)：
C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/285 C
Fターム (31件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  5F045AA15 ,  5F045AB10 ,  5F045AF01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • シーケンシャル化学気相成長法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-610879   出願人：シャーマンアーサー
  • ラジカルを利用した連続CVD
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-604449   出願人：ジエヌス・インコーポレイテツド
  • ガス処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-183216   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社, 株式会社東芝

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