特許

J-GLOBAL ID：200903072202772923

半導体スタックドパッケージ及びその製造方法

発明者： 高橋 紀夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-175523
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368189
出願日： 2001年06月11日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 不十分な電気的特性しか得られないワイヤボンド以外の半導体スタックの製造方法であって、しかも作業工数が少なくて済む方法。【解決手段】 (1)第1のICチップ1の主面上には絶縁膜4と再配線5とポスト9を形成し、(2)第2のICチップ2の主面にはバンプ電極を形成し、(3)基板3には基板配線8及び開口部7を形成し、(4)前記第2のICチップ2の主面が前記第1のICチップ1の主面と対向するようにさせて前記開口部7に配置し、(5)前記第1のICチップ1の主面を前記基板配線8及び前記第2のICチップの主面とを対向させ、異方導電性フィルム(AFC)10を介し一括して熱圧着接続する。

請求項（抜粋）：

ICチップの主面上に絶縁膜と再配線とポストとを形成した第1のICチップと、ICチップの主面上にバンプを形成した第2のICチップと、基板配線と開口部を有する基板とを備え、前記第2のICチップを前記基板の開口部に配置し、前記第1のICチップの主面と、前記第2のICチップの主面及び前記基板の基板配線とを対向させて異方導電性フィルムにより熱圧着接続したことを特徴とする半導体スタックドパッケージ。

IPC (6件)：

H01L 25/065 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 501 B ,  H01L 23/12 501 S ,  H01L 25/08 B

Fターム (4件)：

5F044KK01 ,  5F044KK17 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331178   出願人：株式会社三井ハイテック
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-168414   出願人：新光電気工業株式会社
• 半導体装置の実装構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274872   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-197636   出願人：株式会社三井ハイテック