特許

J-GLOBAL ID：200903072237256499

CVD装置

発明者： 大山 勝美
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103374
公開番号（公開出願番号）：特開平7-288252
出願日： 1994年04月18日
公開日（公表日）： 1995年10月31日
要約：

【要約】【目的】 膜中の水分を高速に脱離させ、優れた特性を有するCVD膜を作製することのできるCVD装置を提供する。【構成】 少なくとも一つの成膜処理用チャンバを有するCVD装置に、膜中水分の脱離処理装置を配設する。この膜中水分脱離処理装置はウエハ載置台上のウエハに電磁波を照射するマグネトロンを有し、該マグネトロン及びウエハ載置台は密閉可能な室内に配置され、ウエハ載置台はウエハ加熱用のヒータを有し、前記室は真空ポンプが接続されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの成膜処理用チャンバを有するCVD装置において、膜中水分の脱離処理装置を配設したことを特徴とするCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149676   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
• 特開平3-263320
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-107527   出願人：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-152308   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-076335