特許
J-GLOBAL ID：200903072247172846

薄膜の製造方法および薄膜

発明者：
齋藤 隆雄

齋藤 隆雄 について

, 
中村 幸則

中村 幸則 について

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近藤 好正

近藤 好正 について

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大竹 尚登

大竹 尚登 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295768
公開番号（公開出願番号）：特開2004-270022
出願日： 2003年08月20日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】100Torr以上の比較的高圧の雰囲気下において、炭素原子を含む原料ガスを用いて放電プラズマを生成させて薄膜を形成するのに際して、良好な品質の薄膜が得られるようにする。【解決手段】対向電極4、5の少なくとも一方の上に基材6を設置する。炭素源を含む原料ガスAを含む雰囲気下で、100〜1600Torrの圧力下において対向電極4、5間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材6上に薄膜7を生成させる。パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecである。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
炭素源を含む原料ガスを含む雰囲気下で100〜1600Torrの圧力下において前記対向電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを生じさせ、基材上に薄膜を生成させるのに際して、前記パルス電圧のパルス継続時間が10〜1000nsecであることを特徴とする、薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C23C16/27 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205
FI (3件)：
C23C16/27 ,  C23C16/515 ,  H01L21/205
Fターム (22件)：
4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030LA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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