特許
J-GLOBAL ID:200903012318950230

ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-168682
公開番号(公開出願番号):特開平11-012735
出願日: 1997年06月25日
公開日(公表日): 1999年01月19日
要約:
【要約】【課題】 大気圧近傍の圧力の下で、ガス雰囲気を問わず、均一な放電プラズマを発生させて、ダイヤモンド状炭素薄膜を基材表面に高速、且つ、低温で製造する方法を提供する。【解決手段】 大気圧近傍の圧力下で、対向電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、炭素並びに酸素及び/又は水素を含有するガス雰囲気下で、当該対向電極間にパルス化された電界を印加することにより放電プラズマを発生させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
大気圧近傍の圧力下で、対向電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、炭素並びに酸素及び/又は水素を含有するガス雰囲気下で、当該対向電極間にパルス化された電界を印加することにより放電プラズマを発生させることを特徴とするダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法。
IPC (2件):
C23C 16/26 ,  C23C 16/50
FI (2件):
C23C 16/26 ,  C23C 16/50
引用特許:
審査官引用 (8件)
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