特許
J-GLOBAL ID:200903072282370553

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 廣田 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-244707
公開番号(公開出願番号):特開2007-057967
出願日: 2005年08月25日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】 ArFレジスト等で形成されたレジストパターン上に塗布等するだけで、該ArFレジスト材料等の構成に左右されず、ライン状パターン等のレジストパターンを厚肉化することができ、かつ該レジストパターンの厚肉化量をプロセス条件で容易に制御することができ、露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】 本発明のレジストパターン厚肉化材料は、その融点付近でレジストパターンを溶解可能な溶解剤と水溶性成分とを少なくとも含む。本発明のレジストパターンの形成方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することを含む。【選択図】 図2A
請求項(抜粋):
その融点付近でレジストパターンを溶解可能な溶解剤と水溶性成分とを少なくとも含むことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (2件):
G03F 7/40 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R
Fターム (6件):
2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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