静電チャックのパーティクル発生低減方法および半導体製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190350
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021964
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】ウエハーを静電チャックの吸着面に設置した後の、ウエハーの温度上昇に伴って生ずるパーティクルを低減することである。【解決手段】静電チャックの吸着面上にウエハーを設置し、この際吸着面の温度よりも前記ウエハーの温度TOが低く、静電チャックに電圧を印加して吸着面にウエハーを吸着するのと共にウエハーの温度を飽和温度へと向かって上昇させるのに際して、ウエハーの温度が飽和温度TSに達する前に、ウエハーの熱膨張と静電チャックの熱膨張との差に起因する応力を、ウエハーを吸着面に対して滑り移動させることによって開放する応力開放段階を有する。

請求項（抜粋）：

静電チャックの吸着面上にウエハーを設置し、この際前記吸着面の温度よりも前記ウエハーの温度が低く、前記静電チャックに電圧を印加して前記吸着面にウエハーを吸着するのと共に前記ウエハーの温度を飽和温度へと向かって上昇させるのに際して、前記ウエハーの温度が前記飽和温度に達する前に、前記ウエハーの熱膨張と前記静電チャックの熱膨張との差に起因する応力を、前記ウエハーを前記吸着面に対して滑り移動させることによって開放する応力開放段階を有することを特徴とする、静電チャックのパーティクルの発生低減方法。

IPC (3件)：

H01L 21/68 , B23Q 3/15 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/68 R , B23Q 3/15 D , H01L 21/30 503 G , H01L 21/30 503 C

Fターム (11件)：

3C016AA01 , 3C016BA01 , 3C016GA10 , 5F031BB09 , 5F031FF03 , 5F031KK04 , 5F031LL07 , 5F031MM01 , 5F046CC08 , 5F046CC11 , 5F046DB02

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-068948
基板保持装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-277010 出願人：日新電機株式会社
静電吸着装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-297027 出願人：株式会社日立製作所

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