特許
J-GLOBAL ID:200903072307187694

発光素子用ステム及び光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-162930
公開番号(公開出願番号):特開2005-347375
出願日: 2004年06月01日
公開日(公表日): 2005年12月15日
要約:
【課題】波長が400nm以下の紫外線領域での反射率の低下を可及的に少なくし得る発光素子用ステムを提供する。【解決手段】発光ダイオード20が搭載される金属製のステム10の搭載面に、発光ダイオード20からの光を反射する反射面が形成された発光素子用ステムにおいて、該反射面が形成されるステム10の素地面に光沢ニッケルめっき層が形成されていると共に、前記光沢ニッケルめっき層上に光沢銀めっき層が形成され、且つ前記光沢銀めっき層に照射した波長400nmの紫外線の反射率が80%以上であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
発光素子が搭載される金属製のステムの搭載面に、前記発光素子からの光を反射する反射面が形成された発光素子用ステムにおいて、 該反射面が形成されるステムの素地面に光沢めっき下地層が形成されていると共に、前記光沢めっき下地層上に光沢銀めっき層が形成され、 且つ前記光沢銀めっき層に照射した波長400nmの紫外線の反射率が80%以上であることを特徴とする発光素子用ステム。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (5件):
5F041AA06 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開昭57-4184号(第1図)
審査官引用 (11件)
  • 発光装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-165710   出願人:日亜化学工業株式会社
  • 特開昭57-004184
  • LEDパッケージ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-107293   出願人:日亜化学工業株式会社
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