半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：須山佐一 , 川原行雄 , 山下聡 , 須山英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-185564
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047886
出願日： 2007年07月17日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。【解決手段】第1の基板温度で、表面に凹部が形成された層間絶縁膜中及びその表面の酸化種を放出させ、その後、前記第1の基板温度より低い第2の基板温度で、前記層間絶縁膜の少なくとも一部と接触するようにして、Ti及びNを含み、酸素(O)及び貴金属成分を除く全成分におけるTi含有量が50at%を超える層を形成する。次いで、前記層上にCu金属層を形成して半導体装置を製造する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

第1の基板温度で、表面に凹部が形成された層間絶縁膜中及びその表面の酸化種を放出させる工程と、前記第1の基板温度より低い第2の基板温度で、前記層間絶縁膜の少なくとも一部と接触するようにして、Ti及びNを含み、酸素(O)及び貴金属成分を除く全成分におけるTi含有量が50at%を超える層を形成する工程と、前記層上にCu金属層を形成する工程と、を具えることを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , C23C 14/06

FI (2件)：

H01L21/88 R , C23C14/06 A

Fターム (43件)：

4K029AA24 , 4K029BA60 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029CA13 , 4K029DC15 , 4K029EA08 , 5F033HH11 , 5F033HH22 , 5F033HH31 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ22 , 5F033JJ31 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033QQ09 , 5F033QQ13 , 5F033QQ25 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ74 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033TT04 , 5F033WW04 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX08 , 5F033XX13 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-073486 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-156448 出願人：株式会社日立製作所
金属系膜の形成方法および電子装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-296990 出願人：ソニー株式会社
電子デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-154316 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 松下電器産業株式会社

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