半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-180455
公開番号（公開出願番号）：特開2006-005190
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】銅を主構成材料とする配線構造において、ストレスマイグレーションによるボイドの発生を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する【解決手段】半導体基板上の絶縁膜上に形成される多層配線構造において、主構成材料が銅からなる第1の配線の上面に接するように、下から順にバリア性が高く、かつ圧縮応力を有する第1の絶縁膜、引張応力を有する第2の絶縁膜、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜よりも誘電率の低い第3の絶縁膜が少なくとも積層されており、前記第1の絶縁膜、前記第2の絶縁膜、および前記第3の絶縁膜を貫通し前記第1の配線に接するようにビアホールが設けられている配線構造とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介在して設けられ、主構成材料が銅からなる第1の配線と、前記第1の配線上に設けられ、前記第1の配線の銅に対してバリア性を持つ第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の絶縁膜の膜応力に対して逆符号の応力を持つ第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上に設けられた第3の絶縁膜と、前記第3乃至第1の絶縁膜を貫通して前記第1の配線上に設けられたビアと、前記ビアを介して前記第1の配線に接続された第2の配線とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522

FI (2件)：

H01L21/90 J , H01L21/90 A

Fターム (51件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR08 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR15 , 5F033RR23 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX06 , 5F033XX09 , 5F033XX24 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

積層層間絶縁膜構造を利用した配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-107862 出願人：日本電気株式会社
銅配線構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-375606 出願人：NECエレクトロニクス株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-310953 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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