光モジュール

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052302
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261377
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】本願発明の課題は、変調器集積レーザのモジュール消費電力を低減することにある。【解決手段】レーザ活性層領域を構成する多重量子井戸をInGaAlAs/InGaAlAsで構成することによって、高温に素子を保っても信頼性および光出力レベルをたもつ。このとき変調器とレーザの波長の発振波長とバンドギャップ波長の差は上記素子設定温度上昇に比例した分だけ大きくとることが伝送特性を維持するために必要である。このことによってモジュールケース温度と素子設定温度差が小さくなり、モジュール消費電力を低減することができる。

請求項（抜粋）：

半導体レーザ発光部と、当該半導体レーザ発光部よりの光を変調する光変調部と、少なくとも前記光変調部を温度制御する温度制御手段とを、少なくとも有し、且つ、前記半導体レーザ発光部は活性層領域が、In、Ga、Al、及びAsの4元混晶およびIn、Ga、N、及びAsの4元混晶の群より選ばれた少なくとも二つの4元混晶の層を有する多重量子井戸構造を有し、少なくとも前記半導体レーザ発光部もしくは前記半導体レーザ発光部に熱的に接触した前記半導体レーザ発光部を保持する部材上の温度を、前記半導体レーザ発光部及び前記光変調器部の動作時に、摂氏35度以上として温度設定が可能なことを特徴とする光モジュール。

IPC (5件)：

H01S 5/024 , G02B 6/42 , G02F 1/017 501 , G02F 1/017 502 , H01S 5/343

FI (5件)：

H01S 5/024 , G02B 6/42 , G02F 1/017 501 , G02F 1/017 502 , H01S 5/343

Fターム (26件)：

2H037AA01 , 2H037BA03 , 2H037DA03 , 2H037DA04 , 2H037DA05 , 2H037DA06 , 2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA16 , 2H079EA07 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073AB27 , 5F073AB28 , 5F073AB30 , 5F073BA01 , 5F073CA15 , 5F073CA17 , 5F073EA12 , 5F073EA29 , 5F073FA05 , 5F073FA15 , 5F073FA22 , 5F073FA25

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-029518 出願人：三菱電機株式会社
波長可変光源及びそれを用いた光学装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-099583 出願人：株式会社日立製作所
高温非冷却ダイオードレーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-271860 出願人：ベルコミュニケーションズリサーチインコーポレーテッド

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