特許
J-GLOBAL ID：200903072394317108

半導体素子エピタキシャル成長用基板及びその製造方法

発明者：
谷野 吉弥

谷野 吉弥 について

, 
宗友 宣浩

宗友 宣浩 について


出願人/特許権者：
日新電機株式会社

日新電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-159045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-348198
出願日： 2001年05月28日
公開日（公表日）： 2002年12月04日
要約：
【要約】【課題】 固相成長による育成された高品位、高抵抗の単結晶を有効利用して、低コストでありながら、結晶品質が極めて良好で電気的特性に非常に優れた半導体素子の作成が可能な半導体素子エピタキシャル成長用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiC単結晶を種結晶として固相成長された育成単結晶2A中に水素イオンを注入するとともに、育成単結晶2Aの表面にSiO2 層8を介して基板支持体3を積層し、それら積層体に加圧力を負荷した状態で加熱処理することにより、育成単結晶本体2 ́から薄膜状の育成単結晶層2を剥離分割するとともに、その薄膜状育成単結晶層2とSiまたはSiCの多結晶体からなる基板支持体3とをSiO2 層8を介して融着一体化して、半導体素子エピタキシャル成長用基板1を作成する。
請求項（抜粋）：
SiC単結晶を種結晶として成長された育成単結晶中への水素イオンの注入によって育成単結晶本体から薄膜状に剥離分割された育成単結晶層と、基板支持体とが、800〜950°Cの温度範囲で軟化流動可能な接合層を介して融着一体化されていることを特徴とする半導体素子エピタキシャル成長用基板。
IPC (4件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4件)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (22件)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077CA00 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077FE06 ,  4G077FE11 ,  4G077FF01 ,  4G077FF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F045AB14 ,  5F045AF19 ,  5F073CA02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA07 ,  5F073DA14 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (3件)

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