特許
J-GLOBAL ID：200903072397640678

窒化ガリウム系半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
近江 晋

近江 晋 について

, 
小河 淳

小河 淳 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-130158
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335763
出願日： 2003年05月08日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】リッジストライプ型の窒化ガリウム系化合物半導体レーザにおける上部電極に起因する不良発生を抑える。【解決手段】上部電極を三層構造とする。第一の上部電極(10)をリッジ(70)の上面以上の幅、第二の上部電極(20)を第一の上部電極(10)以上の幅、第3の上部電極(30)を第二の上部電極(20)よりも広い幅とするとともに、第一および第二の上部電極(10,20)のみが共振器端面に達するようにする。第三の上部電極(30)をワイヤ接続に十分な厚さとしながら、第一、第二の上部電極(10,20)を薄くすることが可能になり、これにより共振器端面直上における上部電極のめくれ上がりやバリの発生が抑えられて、電流注入が完全になり、バリによる光路の遮断や異導電型層のショートが防止される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体積層構造の上部に共振器端面に達するリッジを有するリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザにおいて、 リッジの上面と同じ幅またはリッジの上面よりも広い幅を有し、リッジの上面の全体を覆う第一の上部電極層と、 第一の上部電極層と同じ幅または第一の上部電極層よりも広い幅を有し、第一の上部電極層の全体を覆う第二の上部電極層と、 第二の上部電極層よりも広い幅を有し、共振器端面の直上の部位を除く第二の上部電極層の全体を覆う第三の上部電極層 を備えることを特徴とするリッジストライプ型の窒化ガリウム系半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S5/042 ,  H01S5/22
FI (2件)：
H01S5/042 612 ,  H01S5/22
Fターム (6件)：
5F073AA13 ,  5F073CA17 ,  5F073CB22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)

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