特許
J-GLOBAL ID：200903055067080917

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
金子 信一郎

金子 信一郎 について

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松本 秀俊

松本 秀俊 について

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樋渡 竜也

樋渡 竜也 について

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矢野 振一郎

矢野 振一郎 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-083336
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277846
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 裂開時の衝撃による電極の浮きや剥がれ等を防止して、安定したレーザ特性を持つ信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子を得る。【解決手段】 基板1上にn型窒化物半導体層2、活性層3、およびp型窒化物半導体層4が順に積層され、積層方向の裂開面Sが光共振面とされ、活性層3より発光する帯状のレーザ素子共振器を構成している。p型窒化物半導体層4上面にSiO2よりなる電流狭窄用絶縁膜5を介して、p電極を形成する。p電極は、露出させたp型窒化物半導体層4の表面に積層され裂開面Sに臨む接触部p電極6と、その上面に形成され裂開面Sよりも1〜500μm程度内側に端面7aを持つ主p電極7から構成されている。
請求項（抜粋）：
基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とが順に積層され、前記基板裏面または前記n型窒化物半導体層、およびp型窒化物半導体層にそれぞれn電極およびp電極がそれぞれ積層され、積層方向に裂開した裂開面が光共振面とされる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は、前記p型窒化物半導体層の表面に積層され前記裂開面に臨む接触部p電極と、前記接触部p電極に電気的に接続可能な開口部を備える絶縁膜を介してその上面に形成され前記裂開面よりも内側に端面を持つ主p電極とから構成されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/042 610 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 624 ,  H01L 33/00 C
Fターム (22件)：
5F041AA24 ,  5F041AA25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F073AA04 ,  5F073AA61 ,  5F073AA73 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073DA32 ,  5F073EA29 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (6件)
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