磁気抵抗トンネル接合素子およびMRAMへのその適用

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鎌田耕一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-535037
公開番号（公開出願番号）：特表2009-512204
出願日： 2006年10月13日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】磁気型の個別のメモリセルに組み合わせてトランジスタ、ダイオードまたはトンネルダイオードを実装することの欠点を回避する。【解決手段】本発明の磁気素子は、磁気抵抗トンネル接合100を備えている。磁気抵抗トンネル接合100は、磁化の方向が固定された参照磁気層120と、磁化の方向が可変である記憶磁気層110と、本質的に半導体または電気的に絶縁性であるとともに参照磁気層120を記憶磁気層110から分離する、トンネル障壁としての機能を果たす中間層130とを含む。印加電圧に応じて非対称の電流応答を生成するように、中間層130のポテンシャルプロファイルが当該層130の厚みに渡って非対称である。この磁気素子は、磁気ランダムアクセスメモリに適用しうる。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

磁化の方向が固定された参照磁気層(120)と、磁化の方向が可変である記憶磁気層(110)と、本質的に半導体または電気的に絶縁性であるとともに前記参照磁気層(120)を前記記憶磁気層(110)から分離する、トンネル障壁としての機能を果たす中間層(130)と、を含む磁気抵抗トンネル接合(100)を備え、印加電圧に応じて非対称の電流応答を生成するように、前記中間層(130)のポテンシャルプロファイルが当該層(130)の厚みに渡って非対称である、磁気素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82

FI (3件)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447 , H01L29/82 Z

Fターム (25件)：

4M119AA02 , 4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119CC06 , 4M119DD03 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119JJ03 , 5F092AA12 , 5F092AA15 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC14

引用特許：

出願人引用 (3件)

国際公開第03/043017号パンフレット
米国特許出願公開第2005/0083760号明細書
米国特許出願公開第2005/0002228号明細書

審査官引用 (5件)

磁性素子、記憶装置、磁気再生ヘッド、及び磁気ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-138898 出願人：株式会社東芝
磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-070650 出願人：ソニー株式会社
強磁性トンネル接合素子及びその製造方法、並びにこの素子を用いた磁気センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-053974 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る