特許
J-GLOBAL ID：200903072505602001

窒化物系半導体発光素子

発明者：
戸谷 真悟

戸谷 真悟 について

, 
長谷川 恭孝

長谷川 恭孝 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-075354
公開番号（公開出願番号）：特開2009-231549
出願日： 2008年03月24日
公開日（公表日）： 2009年10月08日
要約：
【課題】酸化インジウムセリウムからなる透光性電極のシート抵抗及び順方向電圧を低下させることにより、発光効率を向上させる窒化物系半導体発光素子を得ること。【解決手段】全体に対し、酸化セリウムが10wt%〜20wtの割合で含有されている酸化インジウムセリウムを用いて窒化物半導体発光素子の電極を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性電極を有する窒化物系半導体発光素子において、 前記透光性電極は酸化インジウムセリウムからなり、前記酸化インジウムセリウムの全体に対し、酸化セリウムが10wt%〜20wt%の割合で含有されている ことを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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