特許
J-GLOBAL ID：200903030960268204

III族窒化物系化合物半導体光素子

発明者：
上村 俊也

上村 俊也 について

, 
堀内 茂美

堀内 茂美 について

, 
小澤 隆弘

小澤 隆弘 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について

, 
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352722
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158128
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
【課題】発光領域を挟んで上下に形成されるn層側とp層側の電極形状を最適化する。【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子1000は、両面に導電性多層膜を形成したn型シリコン基板200を支持基板とし、p側にITOから成る透光性電極121-t、ニッケル(Ni)から成る接続部121-c、アルミニウム(Al)から成る高反射性金属層121-rとを形成され、多層金属膜を介して金スズはんだ(Au-20Sn)50でn型シリコン基板200と電気的に接続されている。III族窒化物系化合物半導体発光素子1000は、窓枠状に形成されたn電極である多層金属膜130の形成されていない領域が光取り出し領域である。p電極側のニッケル(Ni)から成る接続部121-cの形状とn電極である多層金属膜130の形状は、それぞれの発光領域L平面への正射影が重ならず、且ついずれの位置においても20μm以上の間隔を有して離れている。【選択図】図1.K
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体光素子であって、 各々III族窒化物系化合物半導体のp層及びn層に接合する正及び負の電極が、平面状の発光領域又は受光領域を挟んで上側及び下側に位置し、 前記正電極は、III族窒化物系化合物半導体に接合する透光性電極と、当該透光性電極に電気的に接続された接続部とから構成され、 当該接続部と、負電極とは、前記発光領域又は受光領域の平面への正射影が互いに重ならない形状に形成されていることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041CA40 ,  5F041CA61 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (5件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-264973   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-002835   出願人：豊田合成株式会社
  • 窒化物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388964   出願人：日亜化学工業株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM