特許
J-GLOBAL ID：200903072550082027
半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置製造用細線
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103943
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312400
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【構成】 高融点はんだ、銅、ニッケル、セラミック又は合成樹脂等の高融点材料からなる直径が例えば0.1〜1.0mm程度の針金状の芯材1Aと、この芯材1Aを被膜する低融点はんだ等の低融点材料からなる被膜材2Aとから構成される細線を、キャピラリ7に装着し、前記細線を基板4上のパッド3に位置を合わせ、前記細線の被膜材2Aのみを溶解して前記パッド3に接合する。その後、前記細線を所定の長さ、例えば0.5〜3.0mm程度に切断してバンプを形成する。【効果】 所望の長さ、例えば0.5〜3.0mm程度に細線を切断することによって自由自在にバンプ高さを制御でき、熱ストレス時の接合強度を向上できる。また、細線の径を選ぶことにより、微細化が可能である。さらに、この細線はボンディングによりパッド上に装着されるため、いわゆるワイヤボンディング装置を応用して使用できる。
請求項（抜粋）：
高融点材料からなり非球形状に形成された芯材と低融点材料からなり前記芯材を被膜する被膜材とから構成され、第1の基板と第2の基板を接合するバンプ構造を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92
