特許
J-GLOBAL ID：200903072590748540

化学気相堆積チャンバ内でプラズマ前処理を用いた窒化タングステンの堆積

発明者：
チャン,リン

チャン,リン について

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ガングリ,セシャドリ

ガングリ,セシャドリ について

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マック,アルフレッド

マック,アルフレッド について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-505764
公開番号（公開出願番号）：特表2002-507327
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 2002年03月05日
要約：
【要約】ウエハの上面の上に窒化タングステンの層が、向上した接着性をもって堆積される。この堆積は、窒化タングステンの堆積を行うに先立ち、先ずウエハを水素プラズマで前処理することにより行われる。
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバ内で、部分的に形成された集積回路の上面に材料の層を堆積するための方法であって、前記方法は、 (a)処理チャンバ内に混合ガスを供給するステップであって、前記混合ガスは、タングステンを有する第1のガス組成物と、窒素と水素を有する第2のガス組成物とを有し、前記第2のガス組成物は、前記混合ガスにエネルギーを与えない限りにおいて、前記第1のガス組成物と反応して窒化タングステンを生成しないようなものである、ステップと、 (b)処理チャンバ内で前記混合ガスにエネルギーを与えて堆積プラズマを生成するステップとを備える方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 301 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/52 ,  C23C 21/768
FI (5件)：
H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/52 ,  C23C 16/52 C ,  C23C 21/90 A
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開昭64-005015
  • 特開昭63-317676
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-205630   出願人：富士通株式会社
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審査官引用 (7件)
  • 特開昭64-005015
  • 特開昭63-317676
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-205630   出願人：富士通株式会社
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