特許

J-GLOBAL ID：200903072594602176

層間絶縁膜の形成方法及び半導体装置

発明者： 前田 和夫
出願人/特許権者： キヤノン販売株式会社 ,  株式会社半導体プロセス研究所
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009419
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332011
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 耐吸湿性、及び、耐熱性が良い低誘電率層間絶縁膜の形成方法、及び、それを用いた半導体装置を提供すること。【解決手段】被形成体上に下地絶縁膜105を形成し、TEOSと、該TEOSの酸化に必要な濃度より低い第1の濃度のO3 とを反応ガス中に含む化学的気相成長法により、前記下地絶縁膜105上に多孔性を有する第3のSiO2 膜106を形成し、該第3のSiO2 膜106をHプラズマ処理し、TEOSと、該TEOSの酸化に十分な第2の濃度のO3とを反応ガス中に含む化学的気相成長法により、前記第3のSiO2 膜106上に第4のSiO2 膜107を形成する、層間絶縁膜を形成すること。

請求項（抜粋）：

TEOSと、該TEOSの酸化に必要な濃度より低い第1の濃度のO3 とを反応ガス中に含む化学的気相成長法により、被形成体上に多孔性を有する第1のSiO2 膜を形成し、TEOSと、該TEOSの酸化に十分な第2の濃度のO3 とを反応ガス中に含む化学的気相成長法により、前記第1のSiO2 膜上に第2のSiO2 膜を形成する層間絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 K

Fターム (35件)：

5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033WW04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD18 ,  5F058BE10 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の層間絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-070957   出願人：ヒヨンデエレクトロニクスインダストリーズカンパニーリミテッド
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-075793   出願人：日本電気株式会社
• 素子分離半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-309590   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240374   出願人：松下電器産業株式会社