特許
J-GLOBAL ID：200903072597038417
レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-366991
公開番号（公開出願番号）：特開2006-259692
出願日： 2005年12月20日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】ArFエキシマレーザー光を利用でき、ArFレジスト等のライン系等のレジストパターン上に塗布等するだけで、そのサイズ依存性なく厚肉化可能で、エッチング耐性に優れ、露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターン等を低コストで簡便に効率よく形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と下記一般式(1)で表される化合物とを含むレジストパターン厚肉化材料。【化13】 一般式(1)中、Xは下記構造式(1)で表される官能基を表す。Yは水酸基、アミノ基、アルキル基置換アミノ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基及びアルキル基のいずれかを表し、置換数は0〜3の整数である。mは1以上の整数を表しnは0以上の整数を表す。【化14】 構造式(1)中、R1及びR2は水素又は置換基を表す。Zは水酸基、アミノ基、アルキル基置換アミノ基及びアルコキシ基のいずれかを表し、置換数は0〜3の整数である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
樹脂と、下記一般式(1)で表される化合物とを少なくとも含むことを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096EA05
, 2H096HA05
, 2H096HA23
, 2H096JA04
, 5F046AA28
, 5F046LA18
