特許

J-GLOBAL ID：200903072624036065

導電性バンプの形成方法、半導体装置および実装回路装置

発明者： 笹岡 賢司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-296986
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135671
出願日： 1997年10月29日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 突起電極の高さのバラツキに起因する接続の信頼性を改善できる導電性バンプの形成方法、半導体装置、および実装回路装置の提供。【解決手段】 導電性バンプの形成方法の発明は、表面に電極10が導出配置され、かつ半導体素子9の搭載領域を有する支持基板8の電極面に、たとえば導電性組成物をスクリーン印刷により導電性組成物の突起11aを形成する工程と、突起の外周面に無電解メッキ処理を施して金属バリア層11bを形成する工程と、金属バリア層の外周面に半田層11cを形成する工程と有する。また、半導体装置の発明は、支持基板と、前記支持基板の一主面に搭載された半導体素子と、前記支持基板の他主面に導出配置された電極と、前記電極面に形成された接続用バンプとを有する半導体装置において、バンプは導電性組成物の突起を芯体11aとし、外表面を半田層11cが被覆していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

表面に電極が導出配置され、かつ半導体素子の搭載領域を有する支持基板の電極面に導電性組成物の突起を形成する工程と、前記突起の外周面に無電解メッキ処理を施して金属バリア層を形成する工程と、 前記金属バリア層の外周面に半田層を形成する工程とを有する導電性バンプの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 604 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-204962
  
• ICパッケージ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-086622   出願人：日本ミクロン株式会社
• 半導体実装回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-230368   出願人：日本精機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-212582   出願人：新光電気工業株式会社