基板処理方法及び基板処理システム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：金本哲男 , 亀谷美明 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211405
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304209
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】ウェハ上に塗布されたレジスト膜の膜厚を基板処理装置内の周辺露光装置で測定する。【解決手段】塗布現像処理システム1内の周辺露光装置51において,ケーシング60内に,レジスト膜の膜厚をレーザー光によって感知する膜厚センサ64を設け,載置台61上のウェハWをX方向に移動させて,ウェハW上のレジスト膜の膜厚を測定する。膜厚の測定は,ウェハWの周辺露光処理の前後に行う。これによって,ウェハWの周辺部での露光処理が所定の位置に行われたどうかを検査する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板の周辺部に光を照射して,前記基板に塗布された塗布膜の周辺部に対して露光する周辺露光装置と,前記塗布膜の膜厚を測定する装置とを有する基板処理システムにおいて, 前記基板の塗布膜の膜厚を測定した後,前記基板の周辺部に光を照射して,前記塗布膜を所定の幅だけ露光する工程と, 前記塗布膜を露光した後に,再び前記塗布膜の膜厚を測定し,その測定結果から前記周辺部での露光が所定の位置に行われたどうかを検査する工程と, を有する特徴とする,基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/027

FI (3件)：

H01L21/30 564C , H01L21/30 577 , H01L21/30 502G

Fターム (4件)：

5F046AA17 , 5F046AA28 , 5F046JA21 , 5F046JA22

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-035018
ウエハの周辺部露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-276374 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
リソグラフィ方法およびリソグラフィ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-200076 出願人：株式会社ニコン

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