特許
J-GLOBAL ID：200903072651545281
反射防止膜形成用組成物およびレジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-209378
公開番号（公開出願番号）：特開2005-070154
出願日： 2003年08月28日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】反射防止膜とホトレジスト層とのミキシング現象が生じにくく、かつ反射防止膜の除去にドライエッチング処理を必要としない技術を提供する。【解決手段】ポジ型ホトレジスト層の下に設ける反射防止膜を形成するための反射防止膜形成用組成物であって、(A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、(E)吸光剤と、有機溶剤を含み、加熱すると架橋構造を形成し、ついで前記(C)成分から発生した酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対して難溶性の性質から、アルカリ水溶液に対して可溶性の性質となるものであることを有することを特徴とする反射防止膜形成用組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ポジ型ホトレジスト層の下に設ける反射防止膜を形成するための反射防止膜形成用組成物であって、
(A)樹脂成分と、(C)放射線の照射により酸成分を発生する化合物と、(E)吸光剤と、有機溶剤を含み、
加熱すると架橋構造を形成し、
ついで前記(C)成分から発生する酸成分の作用により、アルカリ水溶液に対して難溶性の性質から、アルカリ水溶液に対して可溶性の性質となるものであることを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/11 503
, H01L21/30 574
2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB29
, 2H025DA34
, 2H025EA10
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 5F046PA08
