特許
J-GLOBAL ID：200903078348537444
反射防止用光吸収膜形成組成物及びこれを利用した半導体素子のパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037331
公開番号（公開出願番号）：特開2003-270793
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：
【要約】【課題】 フォトリソグラフィー工程時、露光後に現像工程でフォトレジスト膜と同時に現像される反射防止膜の製造に適した組成物及びこれを利用した半導体素子のパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (メタ)アクリレート反復単位を有するポリマーと、前記反復単位に化学的に結合されているジアゾキノン系の光吸収基と、光酸発生剤と、熱によって前記ポリマーを架橋させ、酸により架橋されたポリマーから脱架橋される架橋剤と、前記ポリマーの架橋反応を促進させるための触媒とを含む反射防止用光吸収膜形成組成物。本発明による半導体素子のパターン形成方法では前記組成物を利用して半導体基板上に反射防止膜を形成する。前記反射防止膜はフォトレジスト膜と共に露光されて現像可能な構造に変った後、前記フォトレジスト膜と同時に現像される。
請求項（抜粋）：
(メタ)アクリレート反復単位を有するポリマーと、前記(メタ)アクリレート反復単位に化学的に結合されているジアゾキノン系の光吸収基と、光酸発生剤と、熱によって前記ポリマーを架橋させ、酸により架橋されたポリマーから脱架橋される架橋剤と、前記ポリマーの架橋反応を促進させるための触媒とを含むことを特徴とする反射防止用光吸収膜形成組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/11 503
, G03F 7/004 505
, G03F 7/023 501
, H01L 21/027
G03F 7/11 503
, G03F 7/004 505
, G03F 7/023 501
, H01L 21/30 574
2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 5F046PA07
