半導体素子収納用パッケージ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124405
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よく放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生する。【解決手段】上面に半導体素子4が載置される載置部1aを有し、該載置部1aより外部にかけて導出する半導体素子4の各電極が接続される配線層6を有する絶縁基体1と、前記絶縁基体1の上面に取着され、前記半導体素子4が載置される載置部1aを封止する蓋体2と、前記絶縁基体1の下面に取着されている放熱体3とからなる半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体1は熱伝導率が70W/m・K以上のセラミックス焼結体からなり、かつ放熱体3は75乃至90重量%の炭化珪素と10乃至25重量%の銅とから成る。

請求項（抜粋）：

上面に半導体素子が載置される載置部を有し、該載置部より外部にかけて導出する半導体素子の各電極が接続される配線層を有する絶縁基体と、前記絶縁基体の上面に取着され、前記半導体素子が載置される載置部を封止する蓋体と、前記絶縁基体の下面に取着されている放熱体とからなる半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体は熱伝導率が70W/m・K以上のセラミックス焼結体からなり、かつ放熱体は75乃至90重量%の炭化珪素と、10乃至25重量%の銅とから成ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/34 , H01L 23/08 , H01L 23/373

FI (3件)：

H01L 23/34 A , H01L 23/08 C , H01L 23/36 M

Fターム (6件)：

5F036AA01 , 5F036BB08 , 5F036BB14 , 5F036BD01 , 5F036BD11 , 5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (5件)

高熱伝導性窒化けい素構造部材の製造方法および半導体パッケ-ジの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-332960 出願人：株式会社東芝
半導体素子収納用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-107858 出願人：京セラ株式会社
特開昭59-228742

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