半導体素子収納用パッケージ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-107858
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303335
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】収容する半導体素子を安定、かつ正常に作動させることができない。【解決手段】複数の配線層5を有するとともに上面に半導体素子3が搭載される搭載部1aが形成され、かつ下面に放熱体10が接着剤9を介し固着されている絶縁基体1と、蓋体2とから成り、内部に半導体素子3を収容する半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体1は比誘電率が7以下、熱膨張係数が4×10-6/°C〜8×10-6/°Cのガラスセラミックス焼結体で、配線層5は電気抵抗率が3μΩ・cm以下の金属材料で、放熱体10は熱伝導率が75W/m・K以上、熱膨脹係数が4×10-6/°C乃至8×10-6/°Cの非金属材料で形成されており、かつ絶縁基体1の下面に放熱体10を固着させる接着剤9の固着温度が500°C以下である。

請求項（抜粋）：

複数の配線層を有するとともに上面に半導体素子が搭載される搭載部が形成され、かつ下面に放熱体が接着剤を介し固着されている絶縁基体と、蓋体とから成り、内部に半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージであって、前記絶縁基体は比誘電率が7以下、熱膨張係数が4×10-6/°C〜8×10-6/°Cのガラスセラミックス焼結体で、配線層は電気抵抗率が3μΩ・cm以下の金属材料で、放熱体は熱伝導率が75W/m・K以上、熱膨脹係数が4×10-6/°C乃至8×10-6/°Cの非金属材料で形成されており、かつ絶縁基体の下面に放熱体を固着させる接着剤の固着温度が500°C以下であることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 23/15 , H01L 23/12 , H01L 23/36

FI (3件)：

H01L 23/14 C , H01L 23/12 J , H01L 23/36 D

引用特許：

審査官引用 (10件)

セラミックパッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-322233 出願人：株式会社住友金属エレクトロデバイス
半導体素子収納用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-127335 出願人：京セラ株式会社
セラミツク基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-092239 出願人：日本特殊陶業株式会社

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