ドライエッチング装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-142934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-328269
出願日： 1999年05月24日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：

【要約】【課題】大型の基板を一度に大量に処理しうるドライエッチング装置を提供することを課題とする。【解決手段】チャンバ内に周回用のラインを設け、ライン上を周回する基板の保持台に、プラズマ発生電極と、プラズマ化されるガスを供給するガス供給手段と、ガスをあらかじめプラズマ化するマイクロ波導入手段と、プラズマ発生電極に高周波電力を供給する供給手段と、保持台に電力を供給する手段とによりドランエッチングを行うことである。

請求項（抜粋）：

チャンバ内で基板の設けられた保持台を周回すべく、保持台をそれぞれ逆方向に移送する直線状の2つのライン及び該ラインの両端側で保持台を他方のラインに移送する移送ラインと、ライン上を周回する保持台に設けられた基板に対して平行に取り付けられたプラズマ発生電極と、プラズマ発生電極によりプラズマ化されるガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段によりチャンバ内に供給されるガスをプラズマ化するマイクロ波導入手段と、プラズマ発生電極に高周波電力を供給する高周波供給電力供給手段と、保持台に電力を供給する保持台印加手段とを具備することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (3件)：

C23F 4/00 A , H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Fターム (15件)：

4K057DA20 , 4K057DE02 , 4K057DE20 , 4K057DM29 , 4K057DM36 , 4K057DM40 , 4K057DN01 , 5F004AA16 , 5F004BB14 , 5F004BC06 , 5F004BC08 , 5F004BD03 , 5F004CA05 , 5F004DA04 , 5F004DA26

引用特許：

審査官引用 (10件)

有磁場誘導結合プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296832 出願人：キヤノン株式会社
基板乾燥処理を含む基板処理装置及び基板乾燥方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-272643 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
真空処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-159014 出願人：株式会社日立製作所

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