プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-318823
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153166
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】被処理基体の被処理面における色斑の発生を充分かつ容易に防止することのできるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置の提供。【解決手段】プラズマ処理装置は、ウェハWが収容されるチャンバ3と、プラズマを形成用のガスをチャンバ内に供給するガス供給部30と、上面にウェハを支持するサセプタ5と、サセプタに対向して配置されたシャワーヘッド部40と、プラズマを形成する高周波電源部60と、サセプタからウェハを脱着させる際にウェハを支承するとともにサセプタの上面の法線方向とウェハの被処理面の法線方向とが略平行となるように、ウェハをサセプタに対して上下動させるリフト機構90とを有している。リフト機構はサセプタを貫通して伸びる上下動可能な少なくとも1本のリフトピン91を有している。サセプタの上面とウェハとの間に、2.54mm以下の厚さtを有するスペーサSが少なくとも1つ配置されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

被処理基体を支持する支持部と、該支持部に対向して配置される対向電極と、前記支持部を貫通して伸びる上下動可能な少なくとも1本のリフトピンを備えており前記被処理基体を前記支持部に対して上下動させるためのリフト機構とを有するチャンバを使用し、前記チャンバ内にプラズマを発生させ、前記被処理基体を該プラズマにより処理するプラズマ処理方法であって、前記チャンバ内に前記被処理基体を収容し、前記支持部上に該被処理基体を配置する基体配置工程と、前記チャンバ内に所定のガスを供給し、高周波電力を印加して前記チャンバ内に前記プラズマを形成し、該プラズマにより前記被処理基体を処理するプラズマ処理工程と、を有しており、前記プラズマ処理工程における前記チャンバ内の内圧X[Pa]を下記式(1)で表される条件を満たすように調節することを特徴とするプラズマ処理方法。 1093<X ・・・(1)

IPC (4件)：

H01L21/316 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/31

FI (4件)：

H01L21/316 X , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/31 C

Fターム (30件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030CA05 , 4K030FA03 , 4K030GA01 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030KA46 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045EE12 , 5F045EM06 , 5F045EM09 , 5F045EM10 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF25 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BG04

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-191379
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-032493 出願人：シャープ株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002181 出願人：株式会社日立製作所

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