特許
J-GLOBAL ID：200903028786285124

減少された裏側汚染の為のインシトゥウェーハ加熱

発明者：
ケント ロスマン

ケント ロスマン について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-364704
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305236
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】基板受容部を有するチャンバ内に基板を備え処理する際の基板裏面への汚染物付着を防止する方法を提供する。【解決手段】基板が基板受容部に接触する前にチャンバ内に不活性ガスアルゴンを供給し、プラズマが打たれプラズマにより、処理温度までかねつされる。基板が加熱された後、基板は基板受容部に処理の為にリフトピンで基板受容部に移動される。
請求項（抜粋）：
基板受容部を有するチャンバ内に処理用基板を備える方法であって:前記基板受容部上部以外の前記チャンバ内部で前記基板を位置決めするステップと;ガス状の流れを前記チャンバに提供するステップと;前記ガス状の流れからプラズマを打ち、前記基板を加熱するステップと;前記基板が前記プラズマで加熱された後、処理の為に、前記基板を前記基板受容部に移動させるステップと;を備える方法。
IPC (5件)：
H01L 21/68 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (5件)：
H01L 21/68 N ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Fターム (31件)：
4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030GA12 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA12 ,  5F031HA16 ,  5F031HA33 ,  5F031JA46 ,  5F031JA50 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031NA13 ,  5F031PA23 ,  5F045AA08 ,  5F045BB14 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EE01 ,  5F045EH20 ,  5F045EM05 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04 ,  5F045EN06 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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