特許
J-GLOBAL ID：200903072767911714

電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器

発明者：
川田 浩孝

川田 浩孝 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 江上 達夫 ,  中村 聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-206307
公開番号（公開出願番号）：特開2009-043871
出願日： 2007年08月08日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：
【課題】電気光学装置の表示性能を高める。【解決手段】電気光学装置は、基板(10)と、該基板上の画素領域(10a)に配列された複数の画素電極(9a)と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ(30)とを備える。薄膜トランジスタの半導体層(1a)は、チャネル領域(1a ́)を中央にソース領域(1d)及びドレイン領域(1e)間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極(31a)は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部(32a)を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域(1c)との第1距離(α)よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第2距離(β)の方が、短くなる形状を有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
基板と、 該基板上の画素領域に配列された複数の画素電極と、 該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタと を備え、 前記薄膜トランジスタの半導体層は、チャネル領域を中央にソース領域及びドレイン領域間で長手状に延び、 前記薄膜トランジスタのゲート電極は、前記チャネル領域に重なる部分の脇から、前記半導体層と距離を隔てたまま前記半導体層に沿って突出する突出部を有し、 該突出部は、その根元側における前記チャネル領域と前記ソース又はドレイン領域との間にある接合領域との第1距離よりも、その先端側における前記ソース又はドレイン領域との第2距離の方が、短くなる形状を有する ことを特徴とする電気光学装置用基板。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
H01L29/78 617K ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1335 500 ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616A
Fターム (72件)：
2H091FA34Y ,  2H091FB08 ,  2H091FC26 ,  2H091FD04 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA03 ,  2H092JA25 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JB23 ,  2H092JB54 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H191FA13Y ,  2H191FB14 ,  2H191FC36 ,  2H191FD04 ,  2H191GA04 ,  2H191GA19 ,  2H191LA03 ,  5C094AA02 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FA04 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094HA05 ,  5C094HA08 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (1件)

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