特許
J-GLOBAL ID：200903079314319789

電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

発明者：
中川 雅嗣

中川 雅嗣 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (2件)： 江上 達夫 ,  中村 聡延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140750
公開番号（公開出願番号）：特開2005-321679
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 電気光学装置において、光リーク電流の発生及び特性ばらつきを共に抑制し、高品質な表示を行う。【解決手段】 基板上の画像表示領域に、表示用電極、配線及び、該配線と電気的に接続されたゲートと、該ゲートとの交差領域にチャネルが形成されている半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタを備えた電気光学装置を製造する。チャネルと交差して配置される本体部と、半導体層の周縁の少なくとも一部に沿って延在するように本体部から導出された支部とを含むように規定されたゲートの形状に応じて開口された主パターンと、本体部と支部とのコーナー部に対応する部分に形成された、本体部の側縁を直線状に転写するための補正パターンとを備えたゲート用マスクを用いた転写により、チャネルと交差する所定領域にゲートを形成する。【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
基板上の画像表示領域に、(I)ゲートと該ゲートにチャネル領域で交差する半導体層とを含んで構成された薄膜トランジスタ及び(II)該薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極を備えており、前記ゲートの前記基板上における平面形状が、前記チャネル領域で前記半導体層に交差して延在する本体部と、前記チャネル領域の周縁に沿った方向に延在するように前記本体部から導出された支部とを含むように規定されている、電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、 前記基板上に前記半導体層を形成する半導体層形成工程と、 前記半導体層形成工程と相前後して、前記平面形状に応じた主パターンと、該主パターンにおける前記本体部及び前記支部がなすコーナーに対応する部分に、前記本体部の側縁を直線状に転写するための補正パターンとを有するゲート用マスクを用いた転写によって、前記基板上に前記ゲートを形成するゲート形成工程と を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (4件)：
G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786
FI (4件)：
G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 338 ,  H01L29/78 617K
Fターム (85件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA04 ,  2H092MA02 ,  2H092MA07 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA19 ,  2H092NA01 ,  2H092NA24 ,  2H092NA30 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092QA06 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA10 ,  2H092RA05 ,  2H092RA10 ,  5C094AA02 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DB01 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F110AA06 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE24 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5G435AA01 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435LL08 ,  5G435LL15
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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