特許
J-GLOBAL ID：200903072793857612

半導体装置及びその作製方法、剥離方法並びに転写方法

発明者：
丸山 純矢

丸山 純矢 について

, 
高山 徹

高山 徹 について

, 
大野 由美子

大野 由美子 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379578
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214281
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】可撓性を有する基板、代表的にはフレキシブルなプラスチックフィルムの上にTFT素子を形成することが試みられているが、被剥離層に損傷を与えてしまうという問題、被剥離層への損傷を防ぐため、遮光層または反射層を設ける記載もあるが、その場合、透過型液晶表示装置や下側に発光する発光装置を作製することが困難であった。【解決手段】基板上に設けられた金属膜と、金属膜上に設けられた当該金属を有する酸化膜及び珪素を含む膜とを有する被剥離層と、を有する状態で、基板と被剥離層とを物理的手段、機械的手段により剥離することを特徴とする。詳しくは、金属膜上に当該金属を有する酸化物層が形成され、加熱処理を行うことにより当該酸化物層を結晶化させ、酸化物層の層内、又は当該酸化物層の両面の界面から剥離を行って得られたTFTを形成することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸化膜上に設けられた窒素を有する絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた半導体膜と、前記酸化膜の下面に接して設けられた酸化物層と、を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L27/12 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (7件)：
H01L27/12 B ,  G02F1/1333 500 ,  G02F1/1333 505 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D
Fターム (59件)：
2H090HA01 ,  2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA02 ,  2H090LA03 ,  2H090LA04 ,  2H090LA15 ,  2H090LA20 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092HA03 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA17 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA03 ,  2H092PA04 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA12 ,  5C094AA49 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA06 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094FB02 ,  5C094FB14 ,  5C094GB10 ,  5C094HA07 ,  5C094HA08 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ16
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM