半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033464
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】プラスチック支持体を用いて高性能な電気光学装置を作製するための技術を提供する。【解決手段】第1固定基板101と樹脂基板からなる素子形成基板103とを第1接着層で貼り合わせた後、素子形成基板上に半導体素子及び発光素子を形成する。発光素子の上に第2接着層107で樹脂基板からなる第2固定基板106を貼り合わせる。この状態でYAGレーザーを照射することにより第1接着層102が除去され第1固定基板101が分離または剥離される。

請求項（抜粋）：

第1固定基板と素子形成基板とを該素子形成基板に設けられた第1接着層で貼り合わせ、該素子形成基板を貼り合わせた後に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の上に発光素子を形成し、該発光素子の上に第2接着層で第2固定基板を貼り合わせた後、レーザー光の照射により前記第1接着層を除去して前記第1固定基板を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 27/12 , G09F 9/30 365 , H01L 27/08 331 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 27/12 B , G09F 9/30 365 Z , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 D

Fターム (87件)：

5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA06 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094GB10 , 5C094HA05 , 5C094HA06 , 5C094HA08 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC02 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB04 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP34 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ25 , 5F110QQ30

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-075755 出願人：ソニー株式会社
薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-193080 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開昭63-107073

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