特許
J-GLOBAL ID：200903072813762915

半導体集積回路装置

発明者：
門馬 敦子

門馬 敦子 について

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松本 美紀

松本 美紀 について

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大石 貫時

大石 貫時 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-194229
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027192
出願日： 1995年07月06日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【目的】 低振幅入力インターフェイスの低消費電力化を図った半導体集積回路装置を提供する。【構成】 クロック信号に同期して信号の入力又は出力が行われ、かつ外部に対しては電源電圧に対して小さな信号振幅にされた信号の授受を行うようにされた低振幅の入出力インターフェイスを持つ半導体集積回路装置において、外部から供給されるクロック信号を受ける入力回路としては実質的に定常的に動作させられる差動回路で取り込み、上記クロック信号に同期して入力される低振幅の入力信号を受ける入力回路については、差動回路を上記クロック信号により間欠的に動作させ、かかる差動回路が動作期間中は取り込まれた内部信号を上記内部クロック信号によりサンプリングし、差動回路の非動作期間中は上記サンプリングした信号をホールドさせる。【効果】 定常的に動作する必要のある入力回路を除いた他の多数の入力回路を間欠的に動作させることができるため、消費電流を大幅に低減することができる。
請求項（抜粋）：
クロック信号に同期して信号の入力又は出力が行われ、かつ外部に対しては電源電圧に対して小さな信号振幅にされた信号の授受を行うようにされた低振幅の入出力インターフェイスを持ち、上記入出力インターフェイスのうち、外部から供給されるクロック信号を受ける第1の入力回路は、上記低振幅の入力信号とかかる信号振幅のほぼ中間電位にされた基準電圧とがゲートに供給された差動MOSFETと、かかる差動MOSFETの共通ソースに設けられ実質的に定常的に動作させられる電流源MOSFETとを含み、上記低振幅の入力信号を電源電圧に対応した振幅の内部信号を形成するものであり、上記クロック信号に同期して入力される低振幅の入力信号を受ける第2の入力回路は、上記低振幅の入力信号とかかる信号振幅のほぼ中間電位にされた基準電圧とがゲートに供給された差動MOSFETと、かかる差動MOSFETの共通ソースに設けられ上記第1の入力回路により取り込まれた内部クロック信号により間欠的に動作させられる電流源MOSFETとを含んで上記低振幅の入力信号を電源電圧に対応した振幅の内部信号を形成する入力部と、かかる入力部により取り込まれた内部信号を上記内部クロック信号により上記入力部が動作期間にサンプリングし、上記入力部が非動作期間に上記サンプリングした信号をホールドするバッファ回路からなることを特徴とする半導体集積回路装置。
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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