特許

J-GLOBAL ID：200903072852384812

窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。

発明者： 大塚 寛治 ,  清宮 義博 ,  鷹野 致和
出願人/特許権者： タマティーエルオー株式会社
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-003254
公開番号（公開出願番号）：特開2007-186350
出願日： 2006年01月11日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】生産性が高く、かつコストが低い窒化アルミニウム含有膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム含有膜の製造方法は、基板1上に窒化ホウ素膜2を形成する工程と、窒化ホウ素膜2上にアルミニウム膜3を形成する工程と、アルミニウム膜3及び窒化ホウ素膜2を窒素雰囲気中で加熱処理してアルミニウム膜3を溶融させることにより、基板1上に窒化アルミニウム含有膜4を形成する工程とを具備する。この窒化アルミニウム含有膜の製造方法によれば、窒化ホウ素2と溶融したアルミニウム膜3の固液反応によりアルミニウムの窒化反応が進行して、窒化アルミニウム含有膜4が形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に窒化ホウ素膜を形成する工程と、 前記窒化ホウ素膜上にアルミニウム膜を形成する工程と、 前記アルミニウム膜及び前記窒化ホウ素膜を窒素雰囲気中で加熱処理して前記アルミニウム膜を溶融させることにより、前記基板上に窒化アルミニウム含有膜を形成する工程と、 を具備する窒化アルミニウム含有膜の製造方法。

IPC (1件)：

C30B 29/38

FI (1件)：

C30B29/38 C

Fターム (6件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077EA06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 単結晶成長用基体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-177104   出願人：京セラ株式会社
• 単結晶成長用基体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-038818   出願人：京セラ株式会社