特許
J-GLOBAL ID：200903072864601622

成膜方法および成膜装置

発明者：
母倉 修司

母倉 修司 について

, 
大松 一也

大松 一也 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-032280
公開番号（公開出願番号）：特開2002-235168
出願日： 2001年02月08日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：
【要約】【課題】 大面積の基板上に膜を形成することが可能な成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】 ターゲット材14表面から成膜材料を飛散させ、その飛散した成膜材料を基板12表面上に堆積させることにより膜を形成する成膜方法であって、ターゲット材14の表面に対して基板12の表面が角度をなすように基板12とターゲット材14とを配置する工程と、ターゲット材14に対する基板12の相対的な位置を移動させながら、膜表面の面積が2次元方向に連続して増加するように基板12上に膜を形成する成膜工程とを備える。
請求項（抜粋）：
ターゲット材表面から成膜材料を飛散させ、その飛散した成膜材料を基板表面上に堆積させることにより膜を形成する成膜方法であって、ターゲット材の表面に対して前記基板の表面が角度をなすように前記基板と前記ターゲット材とを配置する工程と、前記ターゲット材に対する前記基板の相対的な位置を移動させながら、前記膜表面の面積が2次元方向に連続して増加するように前記基板上に前記膜を形成する成膜工程とを備える、成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 21/203
FI (4件)：
C23C 14/28 ,  C23C 14/08 ZAA L ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 21/203 Z
Fターム (32件)：
4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029CA15 ,  4K029DB05 ,  4K029DB12 ,  4K029DB17 ,  4K029DB20 ,  4K029JA01 ,  5F103AA10 ,  5F103BB31 ,  5F103BB33 ,  5F103BB35 ,  5F103BB36 ,  5F103BB38 ,  5F103DD30 ,  5F103HH10 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103NN05 ,  5F103RR10 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321AA05 ,  5G321AA06 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB38
引用特許：
審査官引用 (4件)
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