特許
J-GLOBAL ID：200903072885256267

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
加藤 波奈子

加藤 波奈子 について

, 
森 寛

森 寛 について

, 
笠倉 暁夫

笠倉 暁夫 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-286797
公開番号（公開出願番号）：特開2009-135485
出願日： 2008年11月07日
公開日（公表日）： 2009年06月18日
要約：
【課題】パッケージが不要で安価な半導体発光装置を提供する。【解決手段】支持体及び配線を備える配線基板1と、複数の発光部2とを有する半導体発光装置100において、発光部2を、配線基板1上に配置された1つ以上の半導体発光素子21と、配線基板1上に半導体発光素子21を取り囲むように形成された絶縁性の堰22と、配線基板1上の堰22に囲われた領域に形成され半導体発光素子21を封止する封止部23とから構成し、堰22の配線基板1からの高さが封止部23の配線基板1からの高さと略等しいか高くなるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持体及び配線を備える配線基板と、複数の発光部とを有する半導体発光装置であって、 前記発光部は、前記配線基板上に配置された1つ以上の半導体発光素子と、前記配線基板上に前記半導体発光素子を取り囲むように形成された絶縁性の堰と、前記配線基板上の前記堰に囲われた領域に形成され前記半導体発光素子を封止する封止部とを備え、 前記堰の前記配線基板からの高さが前記封止部の前記配線基板からの高さと略等しいか高い ことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 23/28
FI (2件)：
H01L33/00 N ,  H01L23/28 D
Fターム (18件)：
4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA06 ,  4M109DB08 ,  4M109EA02 ,  4M109EA10 ,  4M109EA12 ,  4M109EC11 ,  5F041CA40 ,  5F041DA04 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-340832   出願人：松下電工株式会社
  • LED装置およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-148246   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (9件)
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