特許
J-GLOBAL ID：200903072901236549
半導体素子の製造のためのイオン注入方法及びこれを用いた傾斜型接合形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-378050
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324630
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】半導体素子の製造のためのイオン注入方法において、垂直イオン注入とチルトイオン注入とが組み合わせられたイオン注入方法を提供する。【解決手段】このイオン注入方法によれば、まず、注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第1ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入し(520)、続いて、全体ドーズから第1ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンをチルトイオン注入する(530)。このチルトイオン注入は、複数個のチルトイオン注入に細分化させても良い。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
注入しようとする不純物イオンの全体ドーズの一部である第1ドーズの不純物イオンを、垂直イオン注入により注入する垂直イオン注入段階と、
前記全体ドーズから前記第1ドーズを除外した残りドーズの不純物イオンを、チルトイオン注入により注入するチルトイオン注入段階と、
を備えることを特徴とするイオン注入方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
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米国特許第6,346,441号明細書
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米国特許第6,187,643号明細書
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米国特許第5,686,324号明細書
審査官引用 (11件)
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