特許
J-GLOBAL ID：200903072916033679

半導体基板の製造方法、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置用の選別方法

発明者：
滝澤 律夫

滝澤 律夫 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326140
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165225
出願日： 2002年11月08日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】固体撮像装置の製造等の半導体装置の製造に用いられる半導体基板、即ちシリコンエピタキシャル基板の製造において、該基板の金属汚染の除去を可能にする。【解決手段】シリコン基板1に、イオン注入装置のMoの不純物レベルが2.4×109 atoms/cm2 以下である状態でシリコンと同族の元素、好ましくは炭素32をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域34を形成し、前記シリコン基板1の表面にシリコンエピタキシャル層2を形成する工程を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
シリコン基板に、イオン注入装置のMoの不純物レベルが2.4×109 atoms/cm2 以下である状態でシリコンと同族の元素をイオン注入して、ゲッタリング用の不純物注入領域を形成し、前記シリコン基板の表面にシリコンエピタキシャル層を形成する工程を有する ことを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/322 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/146 ,  H01L27/148
FI (5件)：
H01L21/322 J ,  H01L21/205 ,  H01L27/14 A ,  H01L21/265 Z ,  H01L27/14 B
Fターム (17件)：
4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CB14 ,  4M118DA28 ,  4M118EA01 ,  4M118GB11 ,  5F045AA01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045HA05
引用特許：
審査官引用 (6件)
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