半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-293069
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153784
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】下層配線に対する段差被覆性に優れ、クラック発生もなく、かつ含有水分量の少ない層間絶縁膜が形成できるようにすることを目的とする。【構成】積層配線107を含む表面に、基板温度400°C,オゾン流量400sccmの条件下で、TEOSを50sccm,水蒸気120sccmを導入し、加えて、触媒作用を有する化合物として燐酸ガスを5sccmの流量で同時に導入して、酸化シリコン膜108を堆積させる。

請求項（抜粋）：

アルコキシシランもしくは有機シロキサンのうち少なくとも1つからなる主成分ガスと、オゾンおよび水蒸気とを原料ガスとして用い、加えて、酸化シリコンの形成を促進させる触媒作用を有する化合物を添加し、半導体基板上に選択的に設けた配線を含む表面に、前記酸化シリコンからなる酸化シリコン膜をCVD法により形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/205 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-077039 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の層間絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-205845 出願人：富士通株式会社
特開平3-242934

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