特許
J-GLOBAL ID:200903072967472200
半導体光素子及びそれを用いた光モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-238793
公開番号(公開出願番号):特開2003-051638
出願日: 2001年08月07日
公開日(公表日): 2003年02月21日
要約:
【要約】【課題】寄生インダクタンス及び容量を低減した高速動作化ができる半導体光素子、及びそれをジャンクションダウン実装した光モジュールを実現する。【解決手段】半導体光素子2の駆動電極18、信号線19の近傍に複数の接続用電極20が形成される。複数の接続用電極20は半導体基板と導通している。半導体光素子2をジャンクションダウン実装によって、モジュール基板の接地配線7,9と接続することにより半導体内部でのシールド性を高め、かつ、駆動回路を含めた接続線路をコプレーナ線路とする事により、モジュール基板と半導体光素子、駆動回路及びモジュールピンを結ぶ短いコプレーナ線路の形成を行い、高速動作化を実現する。
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された発受光部或いは変調器部の電極パターン及びその電極パターンに接続され信号配線と、上記電極パターン及び信号配線の近傍に、上記発受光部或いは変調器部とは絶縁され、かつ、互いに半導体基板を通じて導通している複数の接地電極パターンを有することを特徴とする半導体光素子。
IPC (3件):
H01S 5/022
, G02F 1/025
, H01S 5/22
FI (3件):
H01S 5/022
, G02F 1/025
, H01S 5/22
Fターム (19件):
2H079AA02
, 2H079AA13
, 2H079BA01
, 2H079DA22
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079HA15
, 2H079KA18
, 5F073AA02
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073EA12
, 5F073EA14
, 5F073FA05
, 5F073FA06
, 5F073FA28
, 5F073FA30
引用特許: