特許
J-GLOBAL ID：200903067694365836
光半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-305302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145561
出願日： 1997年11月07日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：
【要約】【課題】 優れた性能を有する光半導体モジュールを得ることを課題とする。【解決手段】 基板70の変調器付半導体レーザ素子1の変調器部20が載置される部分を高周波の損失角の小さいアルミナ等からなる第1の板状部材71とし、レーザ部40が載置される部分が熱伝導率の高いSiC等からなる第2の板状部材72とした。
請求項（抜粋）：
その表面に高周波信号用のストリップ線路を備えた第1の板状部材と、該第1の部材に併設されたその表面に給電線路を備えた第2の板状部材とを有し、上記第1の板状部材が第2の板状部材よりも損失角の小さい材料からなり、第2の板状部材が第1の板状部材よりも熱伝導率が高い材料からなる基板と、その表面に表面電極を備えた変調器部と、その表面に表面電極を備えた,その光軸が上記変調器部の光軸と同一直線上に配置されたレーザ部とを有し、上記変調器部の表面電極が、上記ストリップ線路と接着され、上記レーザ部の表面電極が上記給電線路と接着されるよう、上記基板上に配置された変調器付半導体レーザ素子とを備えたことを特徴とする光半導体モジュール。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G02B 6/42
, G02F 1/015 505
, H01S 3/10
H01S 3/18
, G02B 6/42
, G02F 1/015 505
, H01S 3/10 A
