ダイヤモンド半導体素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-415041
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175278
出願日： 2003年12月12日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】チャネル部及びゲート絶縁層における電界集中が緩和され、絶縁層が均一で、絶縁破壊を防ぎ、チャネル部及び絶縁層の界面近傍の欠陥を低減したダイヤモンド半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面が{100}面であるダイヤモンドの単結晶基板1上に、選択成長法により、ソースとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3a及びドレインとなる高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3bを形成する。このとき、高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3a及び3bの相互に対向する端部の結晶面を選択することにより、傾斜面を形成する。次に、チェネル領域にアンドープダイヤモンド層5を形成する。そして、高濃度ホウ素ドープダイヤモンド層3a及び3b上に、ソース電極7及びドレイン電極8を形成し、アンドープダイヤモンド層5上には絶縁層9を介してゲート電極10を形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に夫々局所的に形成された第1及び第2のダイヤモンド層と、前記第1及び第2のダイヤモンド層よりも不純物濃度が低く前記第1及び第2のダイヤモンド層間のチャネル領域となる第3のダイヤモンド層と、を有し、前記第3のダイヤモンド層を経由して前記第1のダイヤモンド層から前記第2のダイヤモンド層に電荷が移送される半導体素子であって、前記第1及び第2のダイヤモンド層の相互に対向する端部には結晶面の選択による斜面が形成されていることを特徴とするダイヤモンド半導体素子。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L27/12 S , H01L29/78 616V , H01L29/78 616T , H01L29/78 620 , H01L29/78 618A , H01L29/78 616L

Fターム (25件)：

5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110AA12 , 5F110AA13 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC10 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110GG01 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK35 , 5F110HM03 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開平1-158774号公報
特許第3273985号公報
ダイヤモンド電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-288012 出願人：株式会社神戸製鋼所

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