特許

J-GLOBAL ID：200903073022679050

磁気記録装置

発明者： 芦田 裕 ,  落合 隆夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-135422
公開番号（公開出願番号）：特開2008-294056
出願日： 2007年05月22日
公開日（公表日）： 2008年12月04日
要約：

【課題】極めて簡素且つ小サイズの構成で、製造工程増及び製造コスト増を招くことなく、誤動作を防止して信頼性の高いデータ読み出しを実現し、更なる高集積化をも可能とする磁気記録装置を提供する。【解決手段】参照素子30は、NiFe及びCoFeBの積層構造からなる下部磁化層31と、絶縁層32を介した、CoFeB、Ru、CoFe及びPtMnの積層構造からなる上部磁化層33とが順次積層されており、上部磁化層33は、磁化方向が例えば平行方向とされ、下部磁化層31は、磁化方向が上部磁化層33の磁化方向と直交する方向とされている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

複数の磁区が形成自在とされており、前記磁区の磁化方向に対応したデータを記録する磁性細線と、 前記磁性細線に記録された前記データを読み出すデータ読出部と を含み、 前記データ読出部は、 前記磁性細線に形成された前記磁区の磁化方向を、抵抗値の変化に基づいて読み取る読取素子と、 第1の方向に磁化された第1の磁化層と、前記第1の方向と交差する非平行の第2の方向に磁化された第2の磁化層とを有し、前記読取素子の抵抗値と参照される抵抗値を有する参照素子と を備えることを特徴とする磁気記録装置。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15 ,  H01L 29/82

FI (4件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L29/82 Z

Fターム (29件)：

4M119AA11 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119EE04 ,  4M119FF05 ,  4M119HH04 ,  4M119HH09 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ04 ,  4M119JJ15 ,  4M119KK14 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD26 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BC03 ,  5F092BC07 ,  5F092EA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 複数の接合部を有する安定した磁気トンネル・デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-026291   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-036449   出願人：ソニー株式会社
• 磁気シフト・レジスタ・メモリ・デバイスにおいて用いるデータ・トラックの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-048214   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション