特許
J-GLOBAL ID：200903073028727570

導波路型半導体素子

発明者：
宮崎 泰典

宮崎 泰典 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-273123
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109594
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】導波層内に拡散する不純物濃度が低く、かつ、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子を提供する。【解決手段】本発明による導波路型半導体素子(2)は、p型クラッド層(18)、導波層(6)およびn型クラッド層(4)を備える。この導波路型半導体素子(2)は、p型クラッド層(18)と導波層(6)との間およびn型クラッド層(4)と導波層(6)との間の少なくとも一方に、導波層(6)に接する不純物層(8)を備える。不純物層(8)は、例えば、p型クラッド層(18)と導波層(6)との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、p型クラッド層(18)の不純物濃度の10分の1以上かつ2分の1以下である。この不純物層(4)により、p型クラッド層(18)から導波層(6)へ拡散される不純物の濃度が低減される。また、不純物層(4)の不純物濃度には下限があり、直列抵抗の小さい導波路型半導体素子(2)を提供できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型クラッド層、導波層およびn型クラッド層を備える導波路型半導体素子において、 前記p型クラッド層と前記導波層との間および前記n型クラッド層と前記導波層との間の少なくとも一方に、前記導波層に接する不純物層が設けられ、 前記不純物層は、 前記p型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記p型クラッド層の不純物濃度の10分の1以上かつ3分の1以下であり、 前記n型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記n型クラッド層の不純物濃度の10分の1以上かつ3分の1以下であることを特徴とする半導体素子。
IPC (1件)：
G02F1/017
FI (1件)：
G02F1/017 503
Fターム (8件)：
2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079HA13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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