半導体発光素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070859
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274644
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】半導体発光素子の動作電圧を低減し、特性劣化を防ぐ。【解決手段】光ガイド層104、106が、活性層105に近い側から不純物希少領域132、142と不純物中間濃度領域131、141と不純物添加領域130、140とを有する。

請求項（抜粋）：

活性層と、該活性層の上下に設けられたクラッド層とを有する半導体発光素子において、少なくとも一方のクラッド層が、不純物希少領域と不純物添加領域とを有し、該不純物希少領域が該活性層に近い側に配されている半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (10件)

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